Udskriv side
BSM600C12P3G201
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
2 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 8.470,000 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 8.470,00 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentROHM
Producentens varenummerBSM600C12P3G201
Varenummer3573232
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id600A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation2.46kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktoversigt
BSM600C12P3G201 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical on-state static drain-source voltage (Tj=25°C, ID=600A,VGS=18V)
- 10uA maximum drain cut-off current (VDS=1200V,VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=182mA, Tj=25°C)
- 2.8nF input capacitance typical (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 70ns switching characteristics typical (Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Chopper
Continuous Drain Current Id
600A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
2.46kW
Product Range
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.28
Produktsporbarhed