Udskriv side
BSM250D17P2E004
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 23 uge(r)
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 6.837,620 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 6.837,62 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentROHM
Producentens varenummerBSM250D17P2E004
Varenummer3573222
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.8kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
250A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.8kW
Product Range
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.28
Produktsporbarhed