Udskriv side
VEC2616-TL-W
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.062 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerVEC2616-TL-W
Varenummer2563869RL
Teknisk datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.062ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.062ohm
Transistor Case StyleVEC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel900W
Power Dissipation P Channel900W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tekniske specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.062ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
900W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.062ohm
Transistor Case Style
VEC
Power Dissipation N Channel
900W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0112
Produktsporbarhed