Udskriv side
NXH35C120L2C2ESG
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
3 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 398,990 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 398,99 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNXH35C120L2C2ESG
Varenummer3464032
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Transistor PolaritySix N Channel
DC Collector Current35A
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleDIP
No. of Pins26Pins
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
No. of Pins
26Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Transistor Polarity
Six N Channel
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
DIP
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002
Produktsporbarhed