Udskriv side
NVBG023N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
789 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | kr 84,620 |
| 50+ | kr 78,950 |
| 100+ | kr 73,200 |
| 250+ | kr 70,890 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flere: 1
kr 881,20 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNVBG023N065M3S
Varenummer4583074RL
Teknisk datablad
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Produktoversigt
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Tekniske specifikationer
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed