Udskriv side
FGB20N60SF
IGBT, General Purpose, 20 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFGB20N60SF
Varenummer1885731
Teknisk datablad
Continuous Collector Current20A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation208W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktoversigt
The FGB20N60SF is a high speed novel Field Stop IGBT offers the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
- High current capability
- High input impedance
- 2.2V @ IC = 20A Low saturation voltage
- 8µJ/A Fast switching
Applikationer
Alternative Energy, Power Management, Maintenance & Repair
Tekniske specifikationer
Continuous Collector Current
20A
Power Dissipation
208W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Tekniske dokumenter (3)
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.003175