Udskriv side
FDMT80080DC
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMT80080DC
Varenummer2825183RL
ProduktsortimentPowerTrench Series
Teknisk datablad
5.164 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 18,800 |
| 500+ | kr 17,910 |
| 1500+ | kr 16,940 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 5
kr 1.915,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMT80080DC
Varenummer2825183RL
ProduktsortimentPowerTrench Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id254A
Drain Source On State Resistance0.00135ohm
Transistor Case StyleDual Cool 88
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
FDMT80080DC is a N-channel dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET. It is produced using Fairchild semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. Application includes OringFET / Load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 80V (min, ID = 250μA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source leakage current is 100nA (max, VGS = ±20V, VDS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 3.1V (typ, VGS = VDS, ID = 250μA)
- Input capacitance is 14800pF (min, VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 1.8ohm (typ, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 67ns (typ, VDD = 40V, ID = 36A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Dual Cool™ package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
254A
Transistor Case Style
Dual Cool 88
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.00135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0004
Produktsporbarhed