Udskriv side
FDMD8560L
Dual MOSFET, PowerTrench, N Channel, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMD8560L
Varenummer2610668
ProduktsortimentPowerTrench Series
Teknisk datablad
4.367 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 28,040 |
| 10+ | kr 19,520 |
| 100+ | kr 14,430 |
| 500+ | kr 11,740 |
| 1000+ | kr 11,520 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 28,04 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMD8560L
Varenummer2610668
ProduktsortimentPowerTrench Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel93A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
Produktoversigt
FDMD8560L is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Application includes synchronous buck primary switch of half / full bridge converter for telecom, motor bridge primary switch of half / full bridge converter for BLDC motor, MV POL 48V synchronous buck switch, and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- 100% UIL tested, kelvin high side MOSFET drive Pin-out capability
- Static drain to source on resistance is 2.5mohm (typ, VGS = 10V, ID = 22A, Q1)
- Drain to source voltage is 60V (Q1, Q2, typ, TA = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 1.0V (typ, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250µA)
- Power dissipation is 48W (typ, Q1, Q2, TC = 25°C)
- Rise time is 15ns (typ, Q1, Q2, VDD = 30V, ID = 22A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Reverse recovery time is 53ns (Q1, Q2, IF = 22A, di/dt = 100A/μs, typ)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C, power 5 x 6 package
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
93A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0025ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (2)
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000254
Produktsporbarhed