Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
72 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
Antal | |
---|---|
1+ | kr 214,390 |
5+ | kr 188,770 |
10+ | kr 163,070 |
50+ | kr 137,450 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 214,39 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNXV65HR82DS1
Varenummer3677747
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.073ohm
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation126W
Power Dissipation Pd126W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
126W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
126W
Product Range
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.5