Udskriv side
NXV08V080DB1
MOSFET Transistor, 130 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4 V
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 12 uge(r)
| Antal | |
|---|---|
| 44+ | kr 140,520 |
Pris for:Tube of 1
Minimum: 44
Flere: 44
kr 6.182,88 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNXV08V080DB1
Varenummer3617527
Teknisk datablad
Channel Type-
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Tekniske specifikationer
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
130A
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.1
Produktsporbarhed