Udskriv side
NVHL020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNVHL020N090SC1
Varenummer3367865
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 10 uge(r)
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 450+ | kr 164,130 |
Pris for:Each
Minimum: 450
Flere: 450
kr 73.858,50 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNVHL020N090SC1
Varenummer3367865
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id118A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation503W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
NVHL020N090SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET.
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 20mohm typical at (VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 196nC typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A)
- Output capacitance is 296pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 450V)
- Gate resistance is 1.6 ohm typical at (f = 1MHz, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 40ns typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 63ns typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5 ohm)
- Drain-to-source breakdown voltage is 900V minimum at (VGS = 0V, ID = 1mA)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C
- 3-lead TO-247 package
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
118A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
503W
Product Range
EliteSiC Series
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002
Produktsporbarhed