Udskriv side
NTMFS5C426NT1G
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
2.938 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 8,680 |
| 10+ | kr 6,010 |
| 100+ | kr 4,970 |
| 500+ | kr 4,560 |
| 1000+ | kr 3,710 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 8,68 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNTMFS5C426NT1G
Varenummer2677178
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id235A
Drain Source On State Resistance0.0011ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation128W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
NTMFS5C426NT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 235A at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -8.6mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 1.1mohm typical at (VGS = 10V, ID = 50A)
- Input capacitance is 4300pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 15ns typical at (VGS = 10V, VDS = 20V, ID = 50A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 47ns typical at (VGS = 10V, VDS = 20V, ID = 50A, RG = 2.5 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
235A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
128W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000074
Produktsporbarhed