Udskriv side
NTBG160N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNTBG160N120SC1
Varenummer3528497RL
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
487 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | kr 35,670 |
| 50+ | kr 34,930 |
| 100+ | kr 34,100 |
| 250+ | kr 33,430 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flere: 1
kr 391,70 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNTBG160N120SC1
Varenummer3528497RL
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id19.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
Power Dissipation Pd136W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
136W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.5A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001776
Produktsporbarhed