Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
32.890 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Antal | |
---|---|
5+ | kr 3,550 |
50+ | kr 2,180 |
100+ | kr 1,400 |
500+ | kr 1,230 |
1500+ | kr 1,050 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 17,75 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerNDC7003P
Varenummer2454057
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Applikationer
Industrial, Power Management
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000033
Produktsporbarhed