Udskriv side
MJE5730G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
892 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 13,820 |
| 10+ | kr 5,760 |
| 100+ | kr 5,090 |
| 500+ | kr 4,270 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 13,82 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerMJE5730G
Varenummer2845312
Teknisk datablad
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max300V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002041
Produktsporbarhed