Udskriv side
MBT3946DW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerMBT3946DW1T1G
Varenummer1459079
ProduktsortimentMJxxxx Series
Teknisk datablad
22.976 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 1,380 |
| 50+ | kr 0,828 |
| 100+ | kr 0,516 |
| 500+ | kr 0,377 |
| 1500+ | kr 0,291 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 6,90 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerMBT3946DW1T1G
Varenummer1459079
ProduktsortimentMJxxxx Series
Teknisk datablad
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN150mW
Power Dissipation PNP150mW
DC Current Gain hFE Min NPN250hFE
DC Current Gain hFE Min PNP250hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP250MHz
Product RangeMJxxxx Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Applikationer
Power Management, Industrial
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
150mW
DC Current Gain hFE Min PNP
250hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
150mW
DC Current Gain hFE Min NPN
250hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
MJxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til MBT3946DW1T1G
1 produkt fundet
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.1
Produktsporbarhed