Udskriv side
HGTG5N120BND
IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerHGTG5N120BND
Varenummer1505138
Teknisk datablad
Continuous Collector Current21A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tekniske specifikationer
Continuous Collector Current
21A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00001