Udskriv side
FQD8P10TM
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
7.990 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 3,660 |
| 500+ | kr 2,840 |
| 1000+ | kr 2,580 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 5
kr 401,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFQD8P10TM
Varenummer2453899RL
Teknisk datablad
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation44W
Power Dissipation Pd44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
The FQD8P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 12nC typical low gate charge
- 30pF typical low Crss
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
44W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til FQD8P10TM
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00026
Produktsporbarhed