Udskriv side
FQD12N20LTM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
18.762 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 8,780 |
| 10+ | kr 5,800 |
| 100+ | kr 3,870 |
| 500+ | kr 3,050 |
| 1000+ | kr 2,750 |
| 5000+ | kr 2,400 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 8,78 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFQD12N20LTM
Varenummer2453433
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
The FQD12N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 16nC typical low gate charge
- 17pF typical low Crss
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00026
Produktsporbarhed