Udskriv side
FGB20N60SFD-F085
IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
1.636 På Lager
Brug for flere?
.
.
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 34,780 |
| 10+ | kr 23,110 |
| 100+ | kr 16,450 |
| 500+ | kr 13,010 |
| 1000+ | kr 12,940 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 34,78 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFGB20N60SFD-F085
Varenummer3368678
Teknisk datablad
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation208W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniske specifikationer
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
208W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0004