Udskriv side
FDY1002PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDY1002PZ
Varenummer2822541
ProduktsortimentPowerTrench Series
Teknisk datablad
3.548 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 4,690 |
| 10+ | kr 3,290 |
| 100+ | kr 2,350 |
| 500+ | kr 1,790 |
| 1000+ | kr 1,490 |
| 5000+ | kr 1,230 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 4,69 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDY1002PZ
Varenummer2822541
ProduktsortimentPowerTrench Series
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel830mA
Continuous Drain Current Id P Channel830mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.28ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.28ohm
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel625mW
Power Dissipation P Channel625mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
830mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.28ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
625mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
830mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.28ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00007
Produktsporbarhed