Udskriv side
FDMQ8205
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMQ8205
Varenummer3253686RL
ProduktsortimentGreenBridge 2 Series
Teknisk datablad
2.870 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 22,460 |
| 500+ | kr 19,330 |
| 1000+ | kr 19,030 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 2.281,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMQ8205
Varenummer3253686RL
ProduktsortimentGreenBridge 2 Series
Teknisk datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel57V
Drain Source Voltage Vds57V
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds P Channel57V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.035ohm
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGreenBridge 2 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
57V
Drain Source Voltage Vds P Channel
57V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.035ohm
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
GreenBridge 2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
57V
Continuous Drain Current Id
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0004
Produktsporbarhed