Udskriv side
FDMA1029PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
624 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 2,740 |
| 500+ | kr 2,570 |
| 1000+ | kr 2,390 |
| 5000+ | kr 2,220 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 309,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDMA1029PZ
Varenummer1324790RL
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The FDMA1029PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±12V Gate to source voltage
- -3.1A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
Applikationer
Industrial, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0005
Produktsporbarhed