Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
57.225 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Antal | |
---|---|
5+ | kr 4,210 |
50+ | kr 3,010 |
100+ | kr 2,170 |
500+ | kr 1,660 |
1500+ | kr 1,490 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 21,05 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDC655BN
Varenummer2101405
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation800mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til FDC655BN
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000015