Udskriv side
FDB28N30TM
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
390 På Lager
800 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 8,380 |
| 500+ | kr 7,170 |
| 1000+ | kr 7,030 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 873,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFDB28N30TM
Varenummer2453391RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.129ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation250W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The FDB28N30TM is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.
- Improved dV/dt capability
- 100% avalanche tested
- Fast switching
- 39nC typical low gate charge
- 35pF typical low Crss
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.129ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001312
Produktsporbarhed