Udskriv side
FCB125N65S3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFCB125N65S3
Varenummer3528440RL
ProduktsortimentSuperFET III
Teknisk datablad
858 På Lager
800 Du kan reservere fra lager nu
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 19,030 |
| 500+ | kr 16,640 |
| 1000+ | kr 16,570 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 1.938,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFCB125N65S3
Varenummer3528440RL
ProduktsortimentSuperFET III
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
On Resistance Rds(on)0.105ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd181W
Power Dissipation181W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
181W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
181W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.01143
Produktsporbarhed