Udskriv side
AFGY100T65SPD
IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
405 På Lager
Brug for flere?
.
.
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 80,200 |
| 5+ | kr 64,350 |
| 10+ | kr 48,430 |
| 50+ | kr 44,560 |
| 100+ | kr 43,080 |
| 250+ | kr 41,590 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 80,20 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerAFGY100T65SPD
Varenummer3588810
Teknisk datablad
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation660W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniske specifikationer
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
660W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0001
Produktsporbarhed