Udskriv side
2N7000
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
55.585 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 3,560 |
| 10+ | kr 2,410 |
| 100+ | kr 1,230 |
| 500+ | kr 1,200 |
| 1000+ | kr 1,020 |
| 5000+ | kr 0,941 |
Pris for:Each
Minimum: 5
Flere: 5
kr 17,80 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummer2N7000
Varenummer9845178
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
The 2N7000 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til 2N7000
6 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000907
Produktsporbarhed