Udskriv side
PMXB40UNEZ
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
15.086 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 3,130 |
| 50+ | kr 1,870 |
| 250+ | kr 0,957 |
| 1000+ | kr 0,746 |
| 3000+ | kr 0,654 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 15,65 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerPMXB40UNEZ
Varenummer2498585
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleDFN1010D
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The PMXB40UNE is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in high-side load switch and charging switch for portable devices, power management in battery driven portables, LED driver and DC-to-DC converter applications.
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- 1.5kV ESD protection HBM
- 34mΩ Very low Drain-Source ON-state resistance RDS (ON)
- Very low threshold voltage of 0.65V for portable applications
- -55 to 150°C Junction temperature range
Applikationer
Power Management, Portable Devices, LED Lighting, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
DFN1010D
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000006
Produktsporbarhed