Udskriv side
PMF170XP,115
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
17.393 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 2,070 |
| 10+ | kr 1,500 |
| 100+ | kr 0,957 |
| 500+ | kr 0,568 |
| 1000+ | kr 0,465 |
| 5000+ | kr 0,303 |
Pris for:Each
Minimum: 5
Flere: 5
kr 10,35 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerPMF170XP,115
Varenummer2069557
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
PMF170XP,115 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low RDSon, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is -20V min at ID=-250µA; VGS=0V; Tj=25°C
- Gate-source threshold voltage is -0.9V typ at ID=-250µA; VDS=VGS; Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 175mohm typ at VGS=-4.5V; ID=-1A; Tj=25°C
- Total gate charge is 2.6nC typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;Tj=25°C
- Source-drain voltage is -0.7V min at IS=-0.4A; VGS=0V; Tj=25°C
- Rise time is 16ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Fall time is 13ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Output capacitance is 43pF typ at VDS=-10V; f=1MHz; VGS=0V;Tj= 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000198
Produktsporbarhed