Udskriv side
PMD3001D,115
TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 1A, SSOT-6
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
3.000 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 3000+ | kr 0,803 |
| 9000+ | kr 0,705 |
Pris for:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1
Flere: 1
--
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerPMD3001D,115
Varenummer2439635
Teknisk datablad
Channel Type-
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The PMD3001D is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array connected as push-pull driver in a surface-mount plastic package. It is suitable for MOSFET driver, power bipolar transistor driver and output current booster for operational amplifier.
- Low VCEsat breakthrough in small signal (BISS) transistors in push-pull configuration
- Application-optimized pin-out
- Space-saving solution
- Internal connections to minimize layout effort
- Reduces component count
Applikationer
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001
Produktsporbarhed