Udskriv side
GAN3R2-100CBEAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
1.425 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 20,450 |
| 500+ | kr 17,390 |
| 1000+ | kr 17,010 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 2.080,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerGAN3R2-100CBEAZ
Varenummer4198483RL
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Typical Gate Charge9.2nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
60A
Typical Gate Charge
9.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000833
Produktsporbarhed