Udskriv side
GAN111-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
251 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | kr 66,410 |
| 50+ | kr 56,410 |
| 100+ | kr 53,950 |
| 250+ | kr 51,410 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flere: 1
kr 699,10 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerGAN111-650WSBQ
Varenummer4550980RL
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Typical Gate Charge4.9nC
No. of Pins3Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
21A
Typical Gate Charge
4.9nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00001
Produktsporbarhed