Udskriv side
GAN080-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
3.897 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | kr 47,450 |
| 50+ | kr 46,260 |
| 100+ | kr 45,000 |
| 250+ | kr 44,110 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flere: 1
kr 509,50 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerGAN080-650EBEZ
Varenummer4198478RL
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge6.2nC
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
6.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000012
Produktsporbarhed