Udskriv side
GAN041-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
197 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 117,770 |
| 5+ | kr 112,550 |
| 10+ | kr 107,330 |
| 50+ | kr 103,300 |
| 100+ | kr 101,430 |
| 250+ | kr 91,890 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 117,77 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerGAN041-650WSBQ
Varenummer3759053
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id47.2A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge22nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
47.2A
Typical Gate Charge
22nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.004749
Produktsporbarhed