Udskriv side
5.095 På Lager
6.000 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 2,580 |
| 50+ | kr 1,580 |
| 100+ | kr 0,687 |
| 500+ | kr 0,657 |
| 1500+ | kr 0,606 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 12,90 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentNEXPERIA
Producentens varenummerBSH103BKR
Varenummer3677632
ProduktsortimentTrench
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
Produktoversigt
BSH103BKR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is 1A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 4A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 330mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 0.4A max at Tamb = 25°C
- Total gate charge is 0.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.099
Produktsporbarhed