Udskriv side
MTA4ATF51264HZ-3G2J1.
SDRAM, DDR4 SODIMM, 4GB, 1.6GHZ
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
26 På Lager
Brug for flere?
Levering på 3 arbejdsdage(US lager)
Bestil inden kl. 18.00 til standardforsendelse
Leveringsgebyr: kr 200,00 en gang pr. ordre. 3 hverdages levering for lagervarer.
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 249,240 |
| 5+ | kr 239,690 |
| 10+ | kr 230,060 |
| 25+ | kr 214,610 |
| 50+ | kr 207,080 |
| 100+ | kr 199,760 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 249,24 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentMICRON
Producentens varenummerMTA4ATF51264HZ-3G2J1.
Varenummer3773867
Teknisk datablad
Memory Density4GB
Memory Speed1MHz
Module MemoryPC4-3200
Module Form Factor260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Memory ApplicationNotebook SODIMM
Memory Configuration512M x 64bit
Supply Voltage Min1.14V
Supply Voltage Max1.26V
Supply Voltage Nom1.2V
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
Tekniske specifikationer
Memory Density
4GB
Module Memory
PC4-3200
Memory Application
Notebook SODIMM
Supply Voltage Min
1.14V
Supply Voltage Nom
1.2V
Product Range
-
Memory Speed
1MHz
Module Form Factor
260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Memory Configuration
512M x 64bit
Supply Voltage Max
1.26V
Operating Temperature Max
95°C
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Singapore
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Singapore
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.009072