Udskriv side
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
147 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 115,590 |
| 10+ | kr 107,160 |
| 25+ | kr 103,800 |
| 50+ | kr 101,260 |
| 100+ | kr 98,280 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 115,59 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentMICRON
Producentens varenummerMT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Varenummer3954471
Teknisk datablad
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktoversigt
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Tekniske specifikationer
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
512M x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
16Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001