Udskriv side
MT53E256M16D1FW-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
469 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 73,280 |
| 10+ | kr 68,580 |
| 25+ | kr 66,940 |
| 50+ | kr 65,890 |
| 100+ | kr 60,670 |
| 250+ | kr 59,770 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 73,28 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentMICRON
Producentens varenummerMT53E256M16D1FW-046 WT:B
Varenummer3652206
Teknisk datablad
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density4Gbit
Memory Configuration256M x 16bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tekniske specifikationer
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 16bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Memory Density
4Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Singapore
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Singapore
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001