Udskriv side
TP0606N3-G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
57 På Lager
1.000 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 7,910 |
| 25+ | kr 6,470 |
| 100+ | kr 5,900 |
| 1000+ | kr 5,780 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 7,91 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentMICROCHIP
Producentens varenummerTP0606N3-G
Varenummer2809989
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id320mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- Low threshold (-2.4V max.)
- High input impedance
- Low input capacitance (80pF typ.)
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
320mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000242
Produktsporbarhed