Udskriv side
LND150N8-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
9 På Lager
2.000 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 3,900 |
| 2000+ | kr 3,820 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 425,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentMICROCHIP
Producentens varenummerLND150N8-G
Varenummer2450522RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30mA
Drain Source On State Resistance1000ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktoversigt
The LND150N8-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
Applikationer
Power Management, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30mA
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1000ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.004536
Produktsporbarhed