Udskriv side
IXTY01N100D
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 30,730 |
| 10+ | kr 15,250 |
| 100+ | kr 13,910 |
| 500+ | kr 13,610 |
| 1000+ | kr 13,240 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 30,73 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXTY01N100D
Varenummer3438440
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance50ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
50ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001996
Produktsporbarhed