Udskriv side
IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXTN210P10T
Varenummer3438414
ProduktsortimentTrenchP
Teknisk datablad
227 På Lager
300 Du kan reservere fra lager nu
.
.
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 308,340 |
| 5+ | kr 290,620 |
| 10+ | kr 272,970 |
| 50+ | kr 255,250 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 308,34 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXTN210P10T
Varenummer3438414
ProduktsortimentTrenchP
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Drain Source On State Resistance7500µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd830W
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktoversigt
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
210A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
830W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
830W
Product Range
TrenchP
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:South Korea
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.004
Produktsporbarhed