Udskriv side
IXFN80N60P3
MOSFET Transistor, N Channel, 66 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN80N60P3
Varenummer2782974
ProduktsortimentPolar3 HiperFET
Teknisk datablad
Lagerføres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN80N60P3
Varenummer2782974
ProduktsortimentPolar3 HiperFET
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation960W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
960W
Product Range
Polar3 HiperFET
Continuous Drain Current Id
66A
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.03