Udskriv side
IXFN26N90
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 0.3 ohm, 10 V, 5 V
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN26N90
Varenummer4905570
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.044