Udskriv side
S29GL01GT10FHI010
Flash Memory, MirrorBit Eclipse Architecture, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerS29GL01GT10FHI010
Varenummer2768058
Produktsortiment3V Parallel NOR Flash Memories
Også kendt somSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Teknisk datablad
1.274 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 101,370 |
| 10+ | kr 91,430 |
| 25+ | kr 79,410 |
| 50+ | kr 73,880 |
| 100+ | kr 68,130 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 101,37 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerS29GL01GT10FHI010
Varenummer2768058
Produktsortiment3V Parallel NOR Flash Memories
Også kendt somSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Teknisk datablad
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
Tekniske specifikationer
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
64Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.009215
Produktsporbarhed