Udskriv side
IRLML6401TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRLML6401TRPBF
Varenummer1463267
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001577044
Teknisk datablad
134.326 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 2,910 |
| 50+ | kr 1,630 |
| 250+ | kr 1,050 |
| 1000+ | kr 0,817 |
| 3000+ | kr 0,650 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 14,55 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRLML6401TRPBF
Varenummer1463267
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001577044
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IRLML6401TRPBF is a -12V single P-channel HEXFET Power MOSFET, compatible with existing surface mount techniques. This MOSFET features increased reliability and easier manufacturing.
- Halogen-free
- MSL1, Industrial qualification
- Multi-vendor compatibility
- Environmentally-friendly
- Trench MOSFET technology
- ±8V Gate to source voltage
- 0.01W/°C Linear derating factor
Applikationer
Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.13
Produktsporbarhed