Udskriv side
IRLB8721PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRLB8721PBF
Varenummer1740783
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001558140
Teknisk datablad
2.517 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 10,820 |
| 10+ | kr 7,540 |
| 100+ | kr 4,330 |
| 500+ | kr 3,720 |
| 1000+ | kr 3,400 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 10,82 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRLB8721PBF
Varenummer1740783
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001558140
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativer til IRLB8721PBF
1 produkt fundet
Produktoversigt
The IRLB8721PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high frequency synchronous buck, converters for computer processor power, optimized for UPS/inverter applications, high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Ultra low gate impedance
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Applikationer
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002