Udskriv side
IRLB8314PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRLB8314PBF
Varenummer2617411
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001572766
Teknisk datablad
3.995 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 9,780 |
| 10+ | kr 4,570 |
| 100+ | kr 4,230 |
| 500+ | kr 3,630 |
| 1000+ | kr 3,310 |
| 5000+ | kr 2,690 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 9,78 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRLB8314PBF
Varenummer2617411
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001572766
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id171A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
IRLB8314PBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes optimized for UPS/inverter applications, low voltage power tools.
- Best in Class performance for UPS/Inverter applications
- Ultra-low gate impedance, fully characterized avalanche voltage and current
- Static drain-to-source on-resistance is 1.9mohm typ (VGS = 10V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 40nC typ (VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 19ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Turn-off delay time is 32ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Input capacitance is 5050pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Output capacitance is 890pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- TO-220AB package, operating junction temperature range from -55 to + 175°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
171A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Tilknyttede produkter
6 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.005534