Udskriv side
IRFR5305TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFR5305TRPBF
Varenummer2097998
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001557082
Teknisk datablad
62.162 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 9,360 |
| 10+ | kr 5,410 |
| 100+ | kr 4,230 |
| 500+ | kr 3,330 |
| 1000+ | kr 3,030 |
| 5000+ | kr 2,470 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 9,36 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFR5305TRPBF
Varenummer2097998
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001557082
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
Applikationer
Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Alternativer til IRFR5305TRPBF
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00023
Produktsporbarhed